铁注入Al2O3陶瓷及退火改变材料表面电阻率的研究*

李世普; 王国梅; 邢宁; 任卫; 陈晓明

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铁注入Al₂O₃陶瓷及退火改变材料表面电阻率的研究^*

更新时间：2022-08-16

- 铁注入Al₂O₃陶瓷及退火改变材料表面电阻率的研究^*
- Altering surface resistivity of polycrystalline Al₂O₃ by Fe implantation and annealing
- 核技术 1990年13卷第12期
- 作者机构：
  
  武汉工业大学
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  中国科学院上海冶金所离子束开放实验室基金资助
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1989-07-03，
  
  纸质出版日期：1990-12-01
- 稿件说明：
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李世普, 王国梅, 邢宁, 等. 铁注入Al₂O₃陶瓷及退火改变材料表面电阻率的研究^*[J]. 核技术, 1990,13(12):718-723.

Shipu Li, Guomei Wang, Ning Xing, et al. Altering surface resistivity of polycrystalline Al₂O₃ by Fe implantation and annealing[J]. Nuclear techniques, 1990, 13(12): 718-723.
李世普, 王国梅, 邢宁, 等. 铁注入Al₂O₃陶瓷及退火改变材料表面电阻率的研究^*[J]. 核技术, 1990,13(12):718-723. DOI：

Shipu Li, Guomei Wang, Ning Xing, et al. Altering surface resistivity of polycrystalline Al₂O₃ by Fe implantation and annealing[J]. Nuclear techniques, 1990, 13(12): 718-723. DOI：

摘要

本文主要阐述铁注入Al

陶瓷退火前后的表面电性能。应用卢瑟福背散射分析（RBS）、俄歇电子能谱分析（AES）和X－光电子能谱分析(XPS)等测试手段，研究了注入层结构、注入射程和纵向浓度分布。最后，扼要地叙述了注入层的导电机制。

Abstract

Surface electrical properties of Fe implanted Al

followed by thermal annealling are presented. The Rutherford backscattering technique

Auger electron spectra and X-ray electron spectra have been used to study the structure of the implanted layer

the implanted ion range and the ion profile. Finally

the conduction mechanism in the implanted layer is discussed briefly.

关键词

Keywords

references

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