用白光退火研究VLSI浅结工艺

张通和; 李国辉; 罗晏; 吴瑜光; 阎凤章; 王文勋; 贺令渝

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

用白光退火研究VLSI浅结工艺

更新时间：2022-08-16

- 用白光退火研究VLSI浅结工艺
- A study of shallow PN junction technology for VLSI by rapid thermal annealing
- 核技术 1990年13卷第9期
- 作者机构：
  
  北京师范大学低能核物理研究所，北京市辐射中心
- 作者简介：
  
  **北京师范大学分析测试中心
  ***国营北京706厂
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金会资助项目
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1989-02-27，
  
  纸质出版日期：1990-09-01
- 稿件说明：
移动端阅览
张通和, 李国辉, 罗晏, 等. 用白光退火研究VLSI浅结工艺[J]. 核技术, 1990,13(9):523-529.

Tonghe Zhang, Guohui Li, Yan Luo, et al. A study of shallow PN junction technology for VLSI by rapid thermal annealing[J]. Nuclear techniques, 1990, 13(9): 523-529.
张通和, 李国辉, 罗晏, 等. 用白光退火研究VLSI浅结工艺[J]. 核技术, 1990,13(9):523-529. DOI：

Tonghe Zhang, Guohui Li, Yan Luo, et al. A study of shallow PN junction technology for VLSI by rapid thermal annealing[J]. Nuclear techniques, 1990, 13(9): 523-529. DOI：

摘要

研究了砷注入硅和砷通过SiO

层注入硅的快速退火特性。给出了制备0.1—0.6µm的PN结最佳条件。用透射电子显微镜（TEM）观察了晶格损伤退火恢复过程，以及高密度缺陷演变过程，发现增加退火时间和靶加热注入均可大大降低注入层剩余缺陷密度。还研究了增强扩散效应，结果发现，随注入束流密度的增加，增强扩散系数明显增大。给出了As扩散系数与注入条件和退火条件的关系。进一步研究了注入及退火条件对PN结漏电流的影响。确定了如何将PN结建立在离子注入损伤区之外的条件。

Abstract

The RTA properties of As implanted into Si and implanted through a SiO

film into Si are studied. The fabrication of PN junction with a depth of 0.1-0.6µm has been optimized. The processes of lattice restoration and defect density change during RTA are observed by TEM. It is found that if longer annealing time and hot target implantation are used the residual defect density can be reduced greatly. The results show that diffusion coefficient is increased with increasing of ion flux. The relation of diffusion coefficient with annealing and implantation conditions are given. The influences of the above mentioned conditions on leakage current of PN junction have been studied. The conditions for making PN junction located out of the radiation damaged region have been discussed.

关键词

Keywords

references

Kazuo Shigama et al . , Jpn. J . Appl. Phy. , 19 （ 1980 ）, 10 : L503 .

Iwamatsu et al . , J . vac . Soc . Jpn. , 25 （ 1982 ）, 735 .

Juri Krto , J. Electrcdhem. Soc . , 131 （ 1984 ）, 1145 .

张通和等，微电子学与计算机， 4 （ 1987 ）， 10 ： 5 .

张通和等，微细加工技术，（ 1987 ）， 3—4 ： 58 .

李国辉等，微电子学与计算机， 5 （ 1988 ）， 10 ： 12 。

张通和等，北京师范大学学报（自然科学版），（ 1988 ）， 4 ： 33 .

Zhang Tonghe et al . , Vacuum , 39 （ 1989 ）, 2-4 : 285 .

张通和等，北京师范大学学报（自然科学版），（ 1987 ）， 3 ： 41 。

张通和等，核技术， 11 （ 1988 ）， 10 ： 45 .

张通和等，电子学报， 15 （ 1987 ）， 3 : 105 .

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

退火温度对掺铒硅1.54μm光致发光的影响

钛离子注入9Cr18钢的强流脉冲电子束后处理

Ag离子注入ZnO薄膜对其发光性质的影响

高能氧离子注入LN晶体光波导的色心形成

Pb离子辐照注碳a-SiO₂薄膜的光致发光性能