正电子湮没方法研究掺杂BGO辐照损伤

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正电子湮没方法研究掺杂BGO辐照损伤

更新时间：2022-08-16

- 正电子湮没方法研究掺杂BGO辐照损伤
- A study on radiation damage of doped BGO by positron annihilation technique
- 核技术 1990年13卷第6期
- 作者机构：
  
  1.同济大学
  2.中国科学院上海硅酸盐研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1988-08-20，
  
  纸质出版日期：1990-06-01
- 稿件说明：
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陈玲燕, 项开华, 魏宗英, 等. 正电子湮没方法研究掺杂BGO辐照损伤[J]. 核技术, 1990,13(6):327-331.

Lingyan Chen, Kaihua Xiang, Zongying Wei, et al. A study on radiation damage of doped BGO by positron annihilation technique[J]. Nuclear techniques, 1990, 13(6): 327-331.
陈玲燕, 项开华, 魏宗英, 等. 正电子湮没方法研究掺杂BGO辐照损伤[J]. 核技术, 1990,13(6):327-331. DOI：

Lingyan Chen, Kaihua Xiang, Zongying Wei, et al. A study on radiation damage of doped BGO by positron annihilation technique[J]. Nuclear techniques, 1990, 13(6): 327-331. DOI：

本文介绍用正电子湮没寿命谱和Doppler展宽谱方法研究掺杂BGO辐照损伤效应。在150Gy

剂量及UV辐照下，掺杂BGO出现表征色心形成的新寿命成分，其中以掺杂质Pb最为明显，此结果与荧光输出结果相符。对掺杂BGO辐照损伤机制进行了讨论。

The radiation damage of doped BGO

studied by measuring positron annihilation lifetimes and Doppler broadening S parameters. Under the irradiation of UV and Co-60

ray of 150Gy

a new lifetime component has been observed for some doped BGOs

especially for impurity element Pb doped BGO. Our results are in agreement with a former study on the fluorescence output. Finally

the radiation damage mechanism is discussed.

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魏宗英等，第二届中德固体物理讨论会报告， 1987年，5月。

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