快速Ni电刷镀层中缺陷与氢行为的正电子湮没研究

邢宗悦; 王景成; 孙华梅

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快速Ni电刷镀层中缺陷与氢行为的正电子湮没研究

更新时间：2022-08-16

- 快速Ni电刷镀层中缺陷与氢行为的正电子湮没研究
- A study of defects and hydrogen behavior in the high-speed Ni selective plating layer by positron annihilation
- 核技术 1990年13卷第3期
- 作者机构：
  
  上海钢铁研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1988-04-19，
  
  纸质出版日期：1990-03-01
- 稿件说明：
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邢宗悦, 王景成, 孙华梅. 快速Ni电刷镀层中缺陷与氢行为的正电子湮没研究[J]. 核技术, 1990,13(3):148-152.

Zongyue Xing, Jingcheng Wang, Huamei Sun. A study of defects and hydrogen behavior in the high-speed Ni selective plating layer by positron annihilation[J]. Nuclear techniques, 1990, 13(3): 148-152.
邢宗悦, 王景成, 孙华梅. 快速Ni电刷镀层中缺陷与氢行为的正电子湮没研究[J]. 核技术, 1990,13(3):148-152. DOI：

Zongyue Xing, Jingcheng Wang, Huamei Sun. A study of defects and hydrogen behavior in the high-speed Ni selective plating layer by positron annihilation[J]. Nuclear techniques, 1990, 13(3): 148-152. DOI：

摘要

通过对快速Ni电刷镀层在不同温度处理后的正电子湮没Doppler展宽能谱线形参数和氢气含量的对比分析，辅之以X射线衍射、电子衍射、扫描电镜、透射电镜和金相等实验，认为快速Ni电刷镀层中含有极高密度的缺陷，且可以分为对氢敏感及对氢不敏感两种类型。由于快速Ni电刷镀层制备工艺的特殊性，正电子湮没参数在该种材料中反映不出氢质子的屏蔽行为。

Abstract

A high-speed Ni selective plating treated at different temperatures was studied by measuring S-parameter of Doppler-broadening spectrum and hydrogen content in addition to X-ray diffraction

electron diffraction

scaning electron microscope and transmission electron microscope. The results show that the material may have high density of defects.The dsfects can be distinctly divided into two types

sensitive to and not sensitive to hydrogen. Because of the particularity of the selective plating process the hydrogen proton screening effect of defects in the layer was not observed by measuring the parameters of positron annihilation.

关键词

Keywords

references

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