表面峰强度的Monte Carlo模拟计算

邵其鋆; 承焕生; 徐洪杰

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表面峰强度的Monte Carlo模拟计算

更新时间：2022-08-16

- 表面峰强度的Monte Carlo模拟计算
- Monte Carlo calculation of surface peak intensity
- 核技术 1990年13卷第2期
- 作者机构：
  
  复旦大学
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1986-12-08，
  
  纸质出版日期：1990-02-01
- 稿件说明：
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邵其鋆, 承焕生, 徐洪杰. 表面峰强度的Monte Carlo模拟计算[J]. 核技术, 1990,13(2):91-97.

Qiyun Shao, Huansheng Cheng, Hongjie Xu. Monte Carlo calculation of surface peak intensity[J]. Nuclear techniques, 1990, 13(2): 91-97.
邵其鋆, 承焕生, 徐洪杰. 表面峰强度的Monte Carlo模拟计算[J]. 核技术, 1990,13(2):91-97. DOI：

Qiyun Shao, Huansheng Cheng, Hongjie Xu. Monte Carlo calculation of surface peak intensity[J]. Nuclear techniques, 1990, 13(2): 91-97. DOI：

摘要

本文介绍用Monte Carlo模拟方法对入射He

离子能量在0.1—2.0MeV范围内，硅、铝单晶在几种不同表面结构条件下的表面峰强度进行了计算。讨论了离子入射能量、入射角度、晶格原子热振动幅度、相关系数、表面增强因子、原子位移和吸附原子等因素对计算结果的影响。

Abstract

The surface peak intensity for silicon and aluminium crystals has been studied for He

ion incident energy ranging from 0.1 to 2.0 MeV by the Monte Carlo simulation method assuming a variety of surface structure models. The effects of He

ion incident energy and incident angle

thermal vibration amplitude

correlations of thermal vibrations

displacements and adsorption of surface atoms as well as enhancement factor on the surface peak intensity are investigated.

关键词

Keywords

references

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