Fe70Cr18Mo2Si1B9微晶合金中缺陷的正电子湮没研究

王景成; 尤云龙; 井春永; 郁泉琴

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Fe₇₀Cr₁₈Mo₂Si₁B₉微晶合金中缺陷的正电子湮没研究

更新时间：2022-08-16

- Fe₇₀Cr₁₈Mo₂Si₁B₉微晶合金中缺陷的正电子湮没研究
- An investigation of defects in Fe₇₀ Cr₁₈ Mo₂ Si₁B₉ microcrystal alloy by positron annihilation technique
- 核技术 1990年13卷第2期
- 作者机构：
  
  上海钢铁研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1988-03-29，
  
  纸质出版日期：1990-02-01
- 稿件说明：
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王景成, 尤云龙, 井春永, 等. Fe₇₀Cr₁₈Mo₂Si₁B₉微晶合金中缺陷的正电子湮没研究[J]. 核技术, 1990,13(2):81-84.

Jingcheng Wang, Yunlong You, Chunyong Jing, et al. An investigation of defects in Fe₇₀ Cr₁₈ Mo₂ Si₁B₉ microcrystal alloy by positron annihilation technique[J]. Nuclear techniques, 1990, 13(2): 81-84.
王景成, 尤云龙, 井春永, 等. Fe₇₀Cr₁₈Mo₂Si₁B₉微晶合金中缺陷的正电子湮没研究[J]. 核技术, 1990,13(2):81-84. DOI：

Jingcheng Wang, Yunlong You, Chunyong Jing, et al. An investigation of defects in Fe₇₀ Cr₁₈ Mo₂ Si₁B₉ microcrystal alloy by positron annihilation technique[J]. Nuclear techniques, 1990, 13(2): 81-84. DOI：

摘要

为了了解微晶合金中的缺陷变化情况，在以往工作的基础上，用正电子湮没Doppler展宽能谱仪测量了Fe

微晶合金原始薄带经不同温度处理、原始薄带破碎热压成块状材料及其在1000℃退火后的线形

参数。表明在该合金的原始薄带中存在三种类型的缺陷，热处理时缺陷大致分两步消除和减少（分别在室温至600℃和800℃至1000℃），热压成型过程中会给块状试样引进大量的缺陷，且不同工艺引进的缺陷量不等。成型过程中引进的缺陷相当稳定，即使1000℃退火都不能消除。

Abstract

In order to investigate the change of defects in Fe

microcrystal alloy

measurements of S-lineshape parameter of Doppler-broadened spectrum of positron annihilation were carried out for as-quenched ribbons treated at different temperatures

bulk samples prepared by crashing and hot-pressing

and bulk samples annealed at 1000℃

respectively. The results show that in the as-quenched ribbons there are three kinds of defects which are reduced in two steps during heat-treatment (at room temperature-600℃and 800—1000℃). In the bulk samples by crashing and hot-pressing a lot of stable defects are created with different amount when using different hot-pressing methods and the defects can hardly be removed even at high temperature up to 1000℃.

关键词

Keywords

references

林一坚等，金属学报， 23 （ 1987 ）, 4 : A346 。

林一坚等，上海钢研， 5 （ 1986 ）, 9 。

C. L. Reynolds et al . , Phil. Mag. , 34 （ 1976 ）, 4 : 659 .

H. S. Chen and S. Y. Chuamd , Phys. Stat. sol. (a) , 25 （ 1974 ）, 581 .

王景成，金属材料研究， 10 （ 1984 ）, 1 : 59 。

Nobuhiro Shiotani , Ptoc. 6th int. conf. on positron annihilation , U. S. A. , 1982 , p. 561 .

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