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注砷硅片低能电子束退火
研究论文 | 更新时间:2022-08-16
    • 注砷硅片低能电子束退火

    • Transient annealing of As-implanted silicon by a large area low energy electron beam

    • 核技术   1990年13卷第1期
    • 收稿日期:1988-03-10,

      纸质出版日期:1990-01-01

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  • 承焕生, 孙迭篪. 注砷硅片低能电子束退火[J]. 核技术, 1990,13(1):9-13. DOI:

    Huansheng Cheng, Diechi Sun. Transient annealing of As-implanted silicon by a large area low energy electron beam[J]. Nuclear techniques, 1990, 13(1): 9-13. DOI:

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天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室
湖北科技学院核技术与化学生物学院
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菏泽学院物理系
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