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1、2MeV双电荷态磷离子注入硅的研究
研究论文 | 更新时间：2022-08-16
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    • 1、2MeV双电荷态磷离子注入硅的研究

    • Investigation of 1.2 MeV double-charged phosphorous ions implanted silicon

    • 核技术   1989年12卷第4期

    • 收稿日期：1987-09-24，

      纸质出版日期：1989-04

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  • 耿海阳, 关安民, 林成鲁, 等. 1、2MeV双电荷态磷离子注入硅的研究[J]. 核技术, 1989,12(4):191-194. DOI：

    Haiyang Geng, Anmin Guan, Chenglu Lin, et al. Investigation of 1.2 MeV double-charged phosphorous ions implanted silicon[J]. Nuclear techniques, 1989, 12(4): 191-194. DOI：

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