Ar离子轰击Ag靶的溅射角分布

潘浩昌; 陶振兰; 郑里平; 曹德新; 张衡山; 张阿虎; 周祖尧; 周伟

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Ar离子轰击Ag靶的溅射角分布

更新时间：2022-08-16

- Ar离子轰击Ag靶的溅射角分布
- Angular distributions of atoms sputtered with Ar⁺ ions from Ag target
- 核技术 1988年11卷第5期
- 作者机构：
  
  1.中国科学院上海原子核研究所
  2.上海半导体器件研究所
  3.中国科学院上海冶金研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1987-07-01，
  
  纸质出版日期：1988-05
- 稿件说明：
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潘浩昌, 陶振兰, 郑里平, 等. Ar离子轰击Ag靶的溅射角分布[J]. 核技术, 1988,11(5):21-23.

Haochang Pan, Zhenlan Tao, Liping Zheng, et al. Angular distributions of atoms sputtered with Ar⁺ ions from Ag target[J]. Nuclear techniques, 1988, 11(5): 21-23.
潘浩昌, 陶振兰, 郑里平, 等. Ar离子轰击Ag靶的溅射角分布[J]. 核技术, 1988,11(5):21-23. DOI：

Haochang Pan, Zhenlan Tao, Liping Zheng, et al. Angular distributions of atoms sputtered with Ar⁺ ions from Ag target[J]. Nuclear techniques, 1988, 11(5): 21-23. DOI：

摘要

本文描述了用溅射粒子捕集器和Rutherford背散射分析测定溅射粒子角分布的实验方法。给出了100keV Ar

在入射角分别为0°、30°、50°和80°时轰击Ag靶的溅射角分布。角分布偏离余弦形状，有前倾趋势。溅射产额随入射角增大而迅速增加。由50keV Ar

垂直入射Ag的溅射角分布计算出的总溅射产额为16.8±2.4

atoms

/Ar

。实验结果与理论值进行了比较，并作了定性分析。

Abstract

The experimental method is discribed for measuring angular distributions of sputtered particles using a sputtered particle collector and Rutherford backscattering analysis. The angular distributions are given for 100keV Ar

ions sputtering of Ag at incident angles of 0°

30°

50° and 80°. The angular distributions have large deviations from the cosine distribution and show an anisotropy with a preferred emission in forward direction with respect to the beam. The differential sputtering yield increases rapidly with increasing angle of incidence. The total sputtering yield calculated from the angular distribution for 50 keV Ar

sputtering of Ag is 16.8±2.4 atoms/ion and compared with theoretical values. Finally

the results are discussed qualitatively.

关键词

Keywords

references

P. Sigmund , Phys. Reu 184 ( 1969 ), 383 .

K. Rödelsperger et al ., Z. Phys ., 272 ( 1975 ), 127 .

Y. Yamamura . Nucl. Instr. Meth ., 194 ( 1982 ), 515 .

K. Besocke et al ., Radiat. Eff ., 66 ( 1982 ), 35 .

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