电离引起的CMOS电路闭锁及消除方法

陈盘训

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电离引起的CMOS电路闭锁及消除方法

综述 | 更新时间：2022-08-16

- 电离引起的CMOS电路闭锁及消除方法
- CMOS circuits latch up induced from ionization and latch up elimination methods
- 核技术 1988年11卷第4期
- 作者机构：
  
  西南应用电子学研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1988-04
- 稿件说明：
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陈盘训. 电离引起的CMOS电路闭锁及消除方法[J]. 核技术, 1988,11(4):1-7.

Panxun Chen. CMOS circuits latch up induced from ionization and latch up elimination methods[J]. Nuclear techniques, 1988, 11(4): 1-7.
陈盘训. 电离引起的CMOS电路闭锁及消除方法[J]. 核技术, 1988,11(4):1-7. DOI：

Panxun Chen. CMOS circuits latch up induced from ionization and latch up elimination methods[J]. Nuclear techniques, 1988, 11(4): 1-7. DOI：

摘要

本文介绍CMOS电路在电离辐射环境中闭锁的机理、几种消除闭锁的方法和闭锁窗问题。综述了近十年来国外在消除闭锁方面主要的研究成果。其间，也介绍了作者自己的一些看法。

Abstract

The mechanism of CMOS circuits latch up in ionization radiation enviroment

several latch up elimination methods and the phenomenon of latch up window are presented. Major research results of eliminating latch up abroad in the last decade are reviewed. Some viewpoints of the author are also introduced.

关键词

Keywords

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