离子注入提高透明铁电陶瓷PLZT的光敏度

武明堂; 谢娟辉; 刘强

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离子注入提高透明铁电陶瓷PLZT的光敏度

更新时间：2022-08-16

- 离子注入提高透明铁电陶瓷PLZT的光敏度
- Photosensitivity enhancement by ion implantation in PLZT transparent ferroelectrics ceramics
- 核技术 1988年11卷第3期
- 作者机构：
  
  西安交通大学
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1988-03
- 稿件说明：
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武明堂, 谢娟辉, 刘强. 离子注入提高透明铁电陶瓷PLZT的光敏度[J]. 核技术, 1988,11(3):32-35,61,62.

Mingtang Wu, Juanhui Xie, Qiang Liu. Photosensitivity enhancement by ion implantation in PLZT transparent ferroelectrics ceramics[J]. Nuclear techniques, 1988, 11(3): 32-35,61,62.
武明堂, 谢娟辉, 刘强. 离子注入提高透明铁电陶瓷PLZT的光敏度[J]. 核技术, 1988,11(3):32-35,61,62. DOI：

Mingtang Wu, Juanhui Xie, Qiang Liu. Photosensitivity enhancement by ion implantation in PLZT transparent ferroelectrics ceramics[J]. Nuclear techniques, 1988, 11(3): 32-35,61,62. DOI：

摘要

PLZT透明铁电陶瓷的某些组分有电光记忆特性，可利用其光铁电效应进行图象的记录和显示，但通常由于PLZT光敏区为紫外光区，且存像光能阈值大，限制了它作为存储介质的应用。本文介绍用离子注入方法提高光敏度。

Abstract

PLZT (lead lanthanum zirconate titanate) is a transparent ferroelectric cetamics-Some kinds of PLZT have electro-optic memory property and photoferroelectric effect (PFE). Thus they can be used for image storage and display. Since PLZT is intrinsically photo—sensitive in near-UV region and has large threshold exposure energy

its application is restricted. In this paper an ion implantation method is introduced to increase the photoferroelectric image storage sensitivity of PLZT.

关键词

Keywords

references

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