低能Si<sup>+</sup>离子注入聚丙烯薄膜对其结晶度及陷阱电荷的影响

吴洪才

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

低能Si⁺离子注入聚丙烯薄膜对其结晶度及陷阱电荷的影响

更新时间：2022-08-16

- 低能Si⁺离子注入聚丙烯薄膜对其结晶度及陷阱电荷的影响
- Influence of low energy Si⁺ ion. implantation on crystallization and trapped charges of polypropylene thin film
- 核技术 1988年11卷第3期
- 作者机构：
  
  西安交通大学
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1988-03
- 稿件说明：
移动端阅览
吴洪才. 低能Si⁺离子注入聚丙烯薄膜对其结晶度及陷阱电荷的影响[J]. 核技术, 1988,11(3):29-32,61.

Hongcai Wu. Influence of low energy Si⁺ ion. implantation on crystallization and trapped charges of polypropylene thin film[J]. Nuclear techniques, 1988, 11(3): 29-32,61.
吴洪才. 低能Si⁺离子注入聚丙烯薄膜对其结晶度及陷阱电荷的影响[J]. 核技术, 1988,11(3):29-32,61. DOI：

Hongcai Wu. Influence of low energy Si⁺ ion. implantation on crystallization and trapped charges of polypropylene thin film[J]. Nuclear techniques, 1988, 11(3): 29-32,61. DOI：

摘要

本文介绍了低能Si

离子注入聚丙烯薄膜对其结晶度、立构规整度以及陷阱电荷影响的一些研究结果。实验表明，在能量为55keV，剂量为3×10

/cm

的条件下对聚丙烯薄膜进行Si

离子注入，通过TSC和红外光谱分析发现，材料的陷阱电荷得到大幅度下降。其红外结晶度及立构规整度均有明显的下降。因而，材料的短程螺旋结构增多，这些结构的变化将导致其特性发生变化。

Abstract

Some results on the changes of crystallization

stereoregularity and trapped charges in the Si

implanted polypropylene thin film were presented. The TSC measurement and infrared spectrum analysis indicated that trapped charges

degree of crystallization and stereoregularity of the thin film were all decreased after Si

ion implantation with the energy of 55 keV and the dose of 3×10

/cm

. Existance of implanted ions would result in the increase of short range spiro-structure and hence induce modification of the polymer characteristics.

关键词

Keywords

references

J. Lindhard et al . , Matt. Fys. Medd. Kgl. Danske. Videnskab Selskab. , 33 ( 1963 ), 14 .

P. D. Townsend , Nucl. Instr. Meth. , 182/183 ( 1981 ), 727 .

J. D. Carlson et al . , Nucl. Instr. Meth. , B7/8 ( 1985 ), 507 .

Taro Hino , IEEE Trans. Elec. Ind. , EI-15 ( 1980 ), 3 : 301 .

Yu. V. Kissin , Europ. Polym. J. , 8 ( 1972 ), 529 .

沈德言，红外光谱法在高分子研究中的应用，北京，科学出版社， 1982 年。

D. O. Hummel , Polymer spectroscopy , Verlag Chemie GmbH , Wein heim/Bergster , 1974 , p. 86 .

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

聚丙烯膜辐射接枝聚丙烯酰胺制备锂离子二次电池隔膜研究

辐照聚丙烯的ESR法鉴定

界面极化和自由体积尺寸对正电子素形成的影响

聚丙烯核孔膜化学蚀刻工艺研究

气体探测器的聚丙烯薄窗和薄膜电极的制备

低能Si+离子注入聚丙烯薄膜对其结晶度及陷阱电荷的影响

Influence of low energy Si+ ion. implantation on crystallization and trapped charges of polypropylene thin film

DOI：

摘要

Abstract

关键词

Keywords

references

低能Si⁺离子注入聚丙烯薄膜对其结晶度及陷阱电荷的影响

Influence of low energy Si⁺ ion. implantation on crystallization and trapped charges of polypropylene thin film