离子注入对电器触头性能的影响

徐式如; 张莹; 郑天丕

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离子注入对电器触头性能的影响

更新时间：2022-08-16

- 离子注入对电器触头性能的影响
- Effects of ion implantation on the performance of electric contacts
- 核技术 1988年11卷第3期
- 作者机构：
  
  1.西安交通大学
  2.国营792厂
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1988-03
- 稿件说明：
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徐式如, 张莹, 郑天丕. 离子注入对电器触头性能的影响[J]. 核技术, 1988,11(3):21-24,60.

Shiru Xu, Ying Zhang, Tianpi Zheng. Effects of ion implantation on the performance of electric contacts[J]. Nuclear techniques, 1988, 11(3): 21-24,60.
徐式如, 张莹, 郑天丕. 离子注入对电器触头性能的影响[J]. 核技术, 1988,11(3):21-24,60. DOI：

Shiru Xu, Ying Zhang, Tianpi Zheng. Effects of ion implantation on the performance of electric contacts[J]. Nuclear techniques, 1988, 11(3): 21-24,60. DOI：

摘要

对两种电器触头注入1×10

/cm

的氮离子，然后做低压电器通断试验，测量了触头的重量损失、温升、接触电阻、触头材料转移等参数，发现离子注入方法处理对电器触头性能有不同程度的改善。

Abstract

1×10

/cm

of N

and N

was implanted to two kinds of electric contacts

then a make and break test was made with the low voltage electric apparatus. Parameters such as weight loss of contacts

temperature rise

contact resistance and transfer of material between two contacts were measured and some valuable results have been got. With the contacts implanted by ions

all of the parameters were decreased as compared with those unimplanted after the make and break. It has been shown that it is very promising to improve the performance of electric contacts by ion implantation.

关键词

Keywords

references

J. W. Mayer ed. , Ion beam modification of material conference , Cornell University , Ithaca, New York , 1984 .

M. Antler ed. , Proc. Holm conference on electrical contacts , Illinois Inst. of Technology , Chicago , 1981 , p. 99 .

张冠生，电器学——理论基础，第一版，机械工业出版社，北京， 1980年11月，第136页。

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