电子束辐射电子器件（CCD、PIN）损伤试验

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更新时间：2022-08-16

- 电子束辐射电子器件（CCD、PIN）损伤试验
- Electron beam irradiation damage test of electronic devices (CCD, PIN)
- 核技术 1987年10卷第11期
- 作者机构：
  
  中国科学院新疆物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1987-11
- 稿件说明：
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张兴发, 周自雄. 电子束辐射电子器件（CCD、PIN）损伤试验[J]. 核技术, 1987,10(11):54-55.

Xingfa Zhang, Zixiong Zhou. Electron beam irradiation damage test of electronic devices (CCD, PIN)[J]. Nuclear techniques, 1987, 10(11): 54-55.
张兴发, 周自雄. 电子束辐射电子器件（CCD、PIN）损伤试验[J]. 核技术, 1987,10(11):54-55. DOI：

Xingfa Zhang, Zixiong Zhou. Electron beam irradiation damage test of electronic devices (CCD, PIN)[J]. Nuclear techniques, 1987, 10(11): 54-55. DOI：

核加固已成为一门新的学科，正处于发展之中。国产CCD电荷耦合器件和PIN硅光电二极管被广泛地应用在空间和国防技术、光电学系统和信息处理技术等方面。但CCD器件容易因辐射而引起永久性辐射损伤。为了使国产CCD某些参数最佳化，我们利用本所2MeV静电加速器和5万克镭当量

Co源，对150块表面N沟器件和PIN硅光电二极管进行了初步的电离辐射损伤试验。本文简单介绍以电子射线辐射CCD和PIN后其辐射损伤的情况。

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