离子注入法掺杂聚乙炔的初步探索

林森浩; 盛康龙; 鲍锦荣; 王玫珉; 邹志宜; 沈之荃; 杨慕杰

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离子注入法掺杂聚乙炔的初步探索

更新时间：2022-08-16

- 离子注入法掺杂聚乙炔的初步探索
- Preliminary investigation on ion implantation for doping of polyacetylene film
- 核技术 1987年10卷第3期
- 作者机构：
  
  1.中国科学院上海原子核研究所
  2.浙江大学
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1986-03-28，
  
  纸质出版日期：1987-03
- 稿件说明：
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林森浩, 盛康龙, 鲍锦荣, 等. 离子注入法掺杂聚乙炔的初步探索[J]. 核技术, 1987,10(3):32-34,61.

Senhao Lin, Kanglong Sheng, Jinrong Bao, et al. Preliminary investigation on ion implantation for doping of polyacetylene film[J]. Nuclear techniques, 1987, 10(3): 32-34,61.
林森浩, 盛康龙, 鲍锦荣, 等. 离子注入法掺杂聚乙炔的初步探索[J]. 核技术, 1987,10(3):32-34,61. DOI：

Senhao Lin, Kanglong Sheng, Jinrong Bao, et al. Preliminary investigation on ion implantation for doping of polyacetylene film[J]. Nuclear techniques, 1987, 10(3): 32-34,61. DOI：

摘要

聚乙炔（CH）x是一种简单的共轭有机导电高分子材料

[1]

。1975年日本白川

首先用高浓度的Ti（OBu）

-AlEt

体系在－78℃下定向聚合得到了均匀的、具有高结晶度的顺式（CH）x薄膜。1977年白川与美国MacDiarmid

［4］

等合作，发现掺杂能改善（CH）x的导电性能。后来又发现掺入不同的杂质可使（CH）x显示n型或p型半导体的特性。聚乙炔薄膜具有物理上准一维金属膜型的一些特殊性质，因而引起物理学家的广泛兴趣。1980年美国Su、Schrieffer和Heeger

[5]

提出了聚乙炔的孤立子（soliton）导电模型，并用这种模型成功地阐述了一些实验现象

[5-11]

。（CH）x的原料便宜，合成简单，具有广阔的应用前景。人们预期可以把聚乙炔应用于制备太阳能电池、蓄电池及塑料半导体器件等。

Abstract

A preliminary investigation on ion implantation with iron ion for doping of polyacetylene film was described. We have studied the effects of iron ion implantation in thin sheets of cis-polyacetylene. with a 0.13mPa vacuum chamber and a simple liquid-nitrogen cooling device

ion implantations were performed at energies ranging from 15 to 30 keV

with doeses from 5×10

to 1×10

ion/cm

. Infre-red spectra showed that cis and trans composition of the polyacetylene film has no significant differences from the pristine ones. Rutherford Backscattering Spectra (RBS) indicated the creation of an iron enriched surface layer. Sheet resistances of the polyacetylene film implanted with 21 keV Fe

ion showed as a function of dose.

关键词

Keywords

references

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