离子注入在红外与电荷耦合器件中的应用与研究

陈泉森; 张月琴

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离子注入在红外与电荷耦合器件中的应用与研究

研究简报 | 更新时间：2022-08-16

- 离子注入在红外与电荷耦合器件中的应用与研究
- Application and study of ion implantation in IR-devices and Si-CCD
- 核技术 1987年10卷第3期
- 作者机构：
  
  中国科学院上海技术物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1987-03
- 稿件说明：
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陈泉森, 张月琴. 离子注入在红外与电荷耦合器件中的应用与研究[J]. 核技术, 1987,10(3):23-25,60.

Quansen Chen, Yueqin Zhang. Application and study of ion implantation in IR-devices and Si-CCD[J]. Nuclear techniques, 1987, 10(3): 23-25,60.
陈泉森, 张月琴. 离子注入在红外与电荷耦合器件中的应用与研究[J]. 核技术, 1987,10(3):23-25,60. DOI：

Quansen Chen, Yueqin Zhang. Application and study of ion implantation in IR-devices and Si-CCD[J]. Nuclear techniques, 1987, 10(3): 23-25,60. DOI：

摘要

我所于1982年建立了以LC-2A型离子注入机为核心的离子注入实验室后，我们开展了离子注入在红外器件和电荷耦合器件中的应用研究及离子注入物理的研究。离子注入技术已成为我所半导体器件研制中的必不可少的工艺技术。离子注入物理的分析研究工作也获得某些结果。

Abstract

We have carried out the work for application and study of ion implantation in IR-devices and Si-CCD. This paper reports some results that We have obtained in recent years.

关键词

Keywords

references

张月琴和陈泉森，上海技物所研究工作报告 ( 1983-1984 )。

张忠堂，红外研究 , 6 ( 1985 )。

王玲杰和吴作良，上海技物所研究生毕业论文报告 ( 1984 )。

刘心田和沈新华，上海技物所研究工作报告 ( 1983 )。

陈家模， Hg 1-x Cd x Te的表面与界面特性，在上海技物所作的学术报告 ( 1983.8 )。

R. F. C. Farron et al. , J. Phys. D: Appl. phys. , 12 ( 1979 ).

唐文国和钟桂英，红外研究 , 3 ( 1984 )。

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