As离子注入形成硅化钨的研究

王忠烈; 钱亚宏; 丁训良; 胡仁元; 刘伊黎

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As离子注入形成硅化钨的研究

更新时间：2022-08-16

- As离子注入形成硅化钨的研究
- Study of tungsten silicide formed by As ion implantation
- 核技术 1986年09卷第8期
- 作者机构：
  
  北京师范大学低能核物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1986-08
- 稿件说明：
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王忠烈, 钱亚宏, 丁训良, 等. As离子注入形成硅化钨的研究[J]. 核技术, 1986,09(8):4-6,60.

Zhonglie Wang, Yahong Qian, Xunliang Ding, et al. Study of tungsten silicide formed by As ion implantation[J]. Nuclear techniques, 1986, 09(8): 4-6,60.
王忠烈, 钱亚宏, 丁训良, 等. As离子注入形成硅化钨的研究[J]. 核技术, 1986,09(8):4-6,60. DOI：

Zhonglie Wang, Yahong Qian, Xunliang Ding, et al. Study of tungsten silicide formed by As ion implantation[J]. Nuclear techniques, 1986, 09(8): 4-6,60. DOI：

摘要

大规模集成电路的发展使集成度不断提高，器件尺寸减小，线条变窄。现常用的多晶硅栅和互连，由于电阻率高，限制了集成电路的速度。近年发展起来的硅化物材料，因其电阻率低、稳定性好、自对准性能好而常被用作大规模集成电路中的欧姆接触，互连和肖特基势垒

。

Abstract

Tungsten silicide was formed by ion beam mixing at different temperatures and its crystallographic structure was investigated. The comparison was made between the sili-cides of directly sintering and of ion-beam-induced. It was found that the temperature of forming tungsten silicide was decreased by ion beam mixing. A "three-step" model was given in an attempt to explain the mechanism of silicide induced by ion beam.

关键词

Keywords

references

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