用沟道技术研究反应离子束刻蚀所引起的晶体表面损伤

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研究简报 | 更新时间：2022-08-16

- 用沟道技术研究反应离子束刻蚀所引起的晶体表面损伤
- A study on the surface damage of R-IBE crystals by RBS-channeling technique
- 核技术 1986年09卷第3期
- 作者机构：
  
  1.中国科学院上海原子核研究所
  2.中国科学院上海冶金研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1985-06-0б，
  
  纸质出版日期：1986-03
- 稿件说明：
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曹德新, 任琮欣, 杨洁, 等. 用沟道技术研究反应离子束刻蚀所引起的晶体表面损伤[J]. 核技术, 1986,09(3):19-21,56.

Dexin Cao, Congxin Ren, Jie Yang, et al. A study on the surface damage of R-IBE crystals by RBS-channeling technique[J]. Nuclear techniques, 1986, 09(3): 19-21,56.
曹德新, 任琮欣, 杨洁, 等. 用沟道技术研究反应离子束刻蚀所引起的晶体表面损伤[J]. 核技术, 1986,09(3):19-21,56. DOI：

Dexin Cao, Congxin Ren, Jie Yang, et al. A study on the surface damage of R-IBE crystals by RBS-channeling technique[J]. Nuclear techniques, 1986, 09(3): 19-21,56. DOI：

在大规模集成电路发展过程中，随着集成度的不断提高，要求电路的线条不断变细，等离子、离子束及反应离子刻蚀等加工工艺将起着重要的作用

[1-3]

。它们为大规模集成电路生产提供了强有力的微细加工手段。离子束刻蚀类似于机械研磨，离子束能量和样品的位置可变，具有各向异性。在加工过程中，样品表面存在一定量的损伤，从貌相看还存在起伏不平的“小丘”。等离子和反应离子刻蚀克服了各项异性，但离子能量和刻蚀的方向不可调节，所以也有局限性。

This paper reported the study on the surface damage

and its annealing of R-IBЕ(reaction ion beam etched) crystal by RBS-channeling technique. The topography of the etched surface was observed by SEM.

The experimental results show that the reactive ion beam etching with CF

results in a surface damage layer and the amount of the damage increases with increasing the energy of the ion beam.

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