中子嬗变掺杂是一种新掺杂方法，能将掺杂剂均匀分布引入晶体内。如GaAs在热中子作用下其同位素被激活为放射性核素，

β

衰变后变成稳定的Ge和Se，在此晶体作为施主杂质。辐照中晶格原子受到高能粒子的反冲，使晶格结构紊乱，经退火得到恢复后，杂质原子才能起载流子作用。将未掺杂的GaAs单晶在轻水堆中照射，冷却后的晶体按＜100＞定向切片，经抛光清洁处理后在氢气氛下进行等时（30分钟）不同温度400—800℃的热退火。利用1.5MeV He

+

束测上述GaAs样品的沟道定向谱及随机谱，观察中子辐照损伤和退火后晶体恢复情况与霍尔法测量的电子学参数作比较。实验结果：GaAs经中子通量为3×10

18

n/cm

2

•

s

辐照未退火处理时，距表面2000Å处晶格紊乱程度接近40%，电学参数测不出。退火温度400—600℃，剩余损伤从6%降到小于3%；电阻率从10

2

Ω•cm降到10

-2

Ω•cm。在600℃测出载流子浓度为1×10

17

/cm

3

，晶体结构已基本恢复，杂质原子被激活。高温（650℃以上）时GaAs要发生热分解。用600℃退火能取得较好的退火效果；若要提高温度进一步完善退火性能，必须选择更合适的保护膜或采取其它适当措施，以免样品热分解。