对铍中金属杂质元素的测定，INAA和PIXE分析是非常有利的方法。它具有灵敏度高、可靠性好、多元素同时测定、操作简便等优点。PIXE分析是利用静电加速器提供的2MeV质子束，流强100nA，轰击1000秒，测量X射线的Si（Li）半导体探测器的能量分辨率，对5.9keVX射线为180eV，测量的几何参数为80mm

2

×3mm。 INAA是利用重水型实验性反应堆的水平和垂直孔道，在中子通量为2×10

13

n•cm

-2

•s

-1

和7×10

13

n·cm

-2

·s

-1

处，分别辐照60秒和2小时。利用同轴型Ge（Li）半导体探测器和S-40系列组成的

γ

谱仪测量。谱数据是由PDP-11/34计算机的SPECTRON-F程序处理。可以测定的元素有：Al、V、Ti、Mn、Cu、Ba、La、W、Lu、U、Yb、Th、Cr、Se、Fe等。铍中主要杂质元素含量的测定结果见表。