超纯P型硅探测器的制备和室温特性

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超纯P型硅探测器的制备和室温特性

更新时间：2022-08-16

- 超纯P型硅探测器的制备和室温特性
- The fabrication and characteristics of ultra-high purity p-type silicon detector at room temperature
- 核技术 1983年06卷第6期
- 作者机构：
  
  中国科学院上海原子核研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1983-01-26，
  
  纸质出版日期：1983-12
- 稿件说明：
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尤乃谈. 超纯P型硅探测器的制备和室温特性[J]. 核技术, 1983,06(6):44-46,64,74.

Naitan You. The fabrication and characteristics of ultra-high purity p-type silicon detector at room temperature[J]. Nuclear techniques, 1983, 06(6): 44-46,64,74.
尤乃谈. 超纯P型硅探测器的制备和室温特性[J]. 核技术, 1983,06(6):44-46,64,74. DOI：

Naitan You. The fabrication and characteristics of ultra-high purity p-type silicon detector at room temperature[J]. Nuclear techniques, 1983, 06(6): 44-46,64,74. DOI：

本文主要叙述超纯P型硅探测器的制备和性能。应用浙江大学研制的超纯硅单晶制成60mm

× 1.5mm的Si（

）探测器，在室温10℃，对

270

Bi 481.6keV和9T6keV内转换电子的能量分辨率分别为6.3keV和8.58keV；对

137

Cs624keV内转换电子能量分辨率为7.1keV。

The fabrication and characteristics of a 50mm

×1.5mm Si (Hp) detector are described in this paper. The detector was made of single crystal of ultra-high purity silicon

which was supplied by Zhejiang University. At room temperature 10℃

the energy resolution of the detector in 6.3keV and 8.58keV for

207

Bi 481.6keV and 976keV internal conversion electron respectively

and 7.1keV for

137

Cs 625keV internal conversion electron.

孙雪瑜等，核科学与工程， 2 , 182 （ 1982 ）。

尤乃谈等，核技术， 2 ， 28. （ 1983 ）。

徐克尊等，粒子探测技术，上海科学技术出版社， 1981 年，第 108 页。

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