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中国科学院近代物理研究所
纸质出版日期:1983-08
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葛素仙. 同位素118Sn、120Sn无衬底靶的制备[J]. 核技术, 1983,06(4):22.
葛素仙. 同位素118Sn、120Sn无衬底靶的制备[J]. 核技术, 1983,06(4):22. DOI:
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我们使用了真空蒸发和电沉积二种方法制备成Sn同位素无衬底靶,靶膜的厚度范围自250µg/cm
2
至2 mg/cm
。
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