离子注入的氙和铯在硅和铝中的表面富集现象

谭春雨; 夏曰源; 刘清前; 刘吉田; 王承瑞

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离子注入的氙和铯在硅和铝中的表面富集现象

科研成果报告 | 更新时间：2022-08-16

- 离子注入的氙和铯在硅和铝中的表面富集现象
- Surface layer enrichment phenomena of xenon and cesium implanted in silicon and aluminium
- 核技术 1983年06卷第4期
- 作者机构：
  
  山东大学
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1982-12-24，
  
  纸质出版日期：1983-08
- 稿件说明：
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谭春雨, 夏曰源, 刘清前, 等. 离子注入的氙和铯在硅和铝中的表面富集现象[J]. 核技术, 1983,06(4):7-9,73.

Chunyu Tan, Yueyuan Xia, Qingqian Liu, et al. Surface layer enrichment phenomena of xenon and cesium implanted in silicon and aluminium[J]. Nuclear techniques, 1983, 06(4): 7-9,73.
谭春雨, 夏曰源, 刘清前, 等. 离子注入的氙和铯在硅和铝中的表面富集现象[J]. 核技术, 1983,06(4):7-9,73. DOI：

Chunyu Tan, Yueyuan Xia, Qingqian Liu, et al. Surface layer enrichment phenomena of xenon and cesium implanted in silicon and aluminium[J]. Nuclear techniques, 1983, 06(4): 7-9,73. DOI：

摘要

近几年来，人们研究了离子注入层中注入杂质在退火过程中的再分布

[1~7]

。结果表明，广泛的离子品种，例如Pb

、As

、Sb

、Cs

、 Pt

、Bi

、Xe

、Ni

、Br

和Cr

等高剂量（≥10

atoms/cm

）注入Si后，在退火时注入的杂质显著地向表面扩散；高剂量离子注入某些金属，退火时也有向表面扩散的现象。因此，高剂量注入的杂质在退火过程中向表面扩散是一个较普遍的现象。

Abstract

RBS technique is used to study surface layer enrichment phenomena of Xe and Cs which are introduced in Si and A1 substrates respectively by means of ion implantation. The experimental results indicate that both Xe and Cs show remarkable outdiffusion behaviour and accumulate near the surface layer during annealing. However there is a definite difference between the diffusion phenomenon of Xe in Si and that of Cs in Al. Xe atoms accumulate near the surface of Si sample without any observable loss from the surface even if annealing is conducted at the temperature of 939℃. On the other hand

Cs atoms have a remakable release from the surface of A1 sample after 460℃ annealing. A possible mechanism of surface layer enrichment of implanted impurities is briefly discussed.

关键词

Keywords

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