用<sup>75</sup>As<sup>+</sup>和<sup>132</sup>Xe<sup>+</sup>离子注入Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的Rutherford背散射分析

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用⁷⁵As⁺和¹³²Xe⁺离子注入Al₂O₃薄膜的Rutherford背散射分析

更新时间：2022-08-16

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- 用⁷⁵As⁺和¹³²Xe⁺离子注入Al₂O₃薄膜的Rutherford背散射分析
- 暂无标题
- 核技术 1982年05卷第4期
- 作者机构：
  
  1.中国科学院原子能研究所
  2.山东大学
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1982-08
- 稿件说明：
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赵玉华, 郑胜男, 许国基, 等. 用⁷⁵As⁺和¹³²Xe⁺离子注入Al₂O₃薄膜的Rutherford背散射分析[J]. 核技术, 1982,05(4):121-122.
赵玉华, 郑胜男, 许国基, 等. 用⁷⁵As⁺和¹³²Xe⁺离子注入Al₂O₃薄膜的Rutherford背散射分析[J]. 核技术, 1982,05(4):121-122. DOI：

DOI：

摘要

阳极氧化生成的Al

2

O

3

是一种重要的非晶电解质材料，而非晶电解质材料是有待进一步开发和研究的新材料。另外，Al

2

O

3

薄膜可以用来作为半导体材料定域掺杂的掩膜，因此，准确的测定Al

2

O

3

薄膜的厚度和注入离子在Al

2

O

3

中的射程及射程分布，以选择合适的离子注入条件，在半导体器件的生产中是很重要的。

Abstract

关键词

Keywords

references

W. K. Chu et al., Backscattering spectrometry , Academic Press , New York , 1978 .

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