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1.中国科学院原子能研究所
2.北京师范大学低能物理研究所
纸质出版日期:1982-08
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郑胜男, 赵玉华, 许国基, 等. 用背散射方法分析硅中注入砷的深度分布[J]. 核技术, 1982,05(4):117-118.
郑胜男, 赵玉华, 许国基, 等. 用背散射方法分析硅中注入砷的深度分布[J]. 核技术, 1982,05(4):117-118. DOI:
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用离子注入方法能快速地将一种杂质元素射入到半导体材料中,而杂质元素在材料中的浓度随深度的分布直接影响了材料的性能,因此准确测定它们是十分必要的。我们用背散射分析法分析了注入砷的硅样品。
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