电阻加热法制备高纯无衬底硼靶

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电阻加热法制备高纯无衬底硼靶

更新时间：2022-08-16

- 电阻加热法制备高纯无衬底硼靶
- A method for making a self-supporting B target with resistance-heating
- 核技术 1982年05卷第1期
- 作者机构：
  
  中国科学院上海原子核研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1980-01-16，
  
  纸质出版日期：1982-02
- 稿件说明：
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严赐福, 吴解征. 电阻加热法制备高纯无衬底硼靶[J]. 核技术, 1982,05(1):41-42,92.

Cifu Yan, Jiezheng Wu. A method for making a self-supporting B target with resistance-heating[J]. Nuclear techniques, 1982, 05(1): 41-42,92.
严赐福, 吴解征. 电阻加热法制备高纯无衬底硼靶[J]. 核技术, 1982,05(1):41-42,92. DOI：

Cifu Yan, Jiezheng Wu. A method for making a self-supporting B target with resistance-heating[J]. Nuclear techniques, 1982, 05(1): 41-42,92. DOI：

自从直线电子枪、环型电子枪，特别是偏转电子枪使用以来，对金属和介质的蒸发，一般都可以使用这类仪器加以解决。电阻加热法，因具有结构简单、操作方便、投资少等优点，至今仍然广泛地应用于低熔点金属或介质的真空蒸发；对于高熔点的金属和介质，国内外大多数有关科技工作者主张不用电阻加热法来制备自支撑硼靶

。但是，我们充分利用了硼的蒸发特性，通过实践，使用电阻加热法制成了自支撑硼靶，为自支撑硼靶的制备增添了一种方法。

A method for making a self-supporting boron target of high purity (99.999%)with resistance-heating is described. With this method

we succeeded in making the self supporting boron target of φ12 mm

and of thickness 50~200 µg/cm

. It has been satisfactorily applied to backscattering in nuclear physics experiments.

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