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中国科学院近代物理研究所
纸质出版日期:1981-12
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素仙 葛, 秀英 王. 用分子镀法制备钕靶[J]. Nuclear Techniques, 1981,04(6):59.
素仙 葛, 秀英 王. 用分子镀法制备钕靶[J]. 核技术, 1981, 04(6): 59.
素仙 葛, 秀英 王. 用分子镀法制备钕靶[J]. Nuclear Techniques, 1981,04(6):59. DOI:
素仙 葛, 秀英 王. 用分子镀法制备钕靶[J]. 核技术, 1981, 04(6): 59. DOI:
众所周知,没有一种薄膜制备的方法能对各种材料普遍适用。目前,少数稀土元素可用真空蒸发的方法制备核物理实验用靶,但收集效率较低,同时由于稀土金属蒸发温度高,使靶造成污染。而分子镀方法是适于稀土元素快速定量的一种电沉积方法。它和一般电沉积方法的区别在于:电流通过期间以化合物的形式沉积在阴极上,保持恒定的高电压,使用有机溶剂。这种方法制备靶的优点是能给出极薄的薄膜或较厚的膜(10~2000µg/cm
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以上);大多数情况下沉积的膜是比较均匀的,并有很好的附着力,沉积效率可达100%,沉积时间短,制备样品所需的材料量少并易处理,所以对稀有或贵重材料如放射性同位素制靶是特别适用的。本文叙述了在异丙醇溶液中电沉积制备Nd靶的方法。
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