The measurement of phosphorus contained in the semiconductor device

The group for nuclear reaction analysis

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The measurement of phosphorus contained in the semiconductor device

更新时间：2022-08-16

- The measurement of phosphorus contained in the semiconductor device
- 半导体器件中含磷量的测量
- Nuclear Techniques 1981年04卷第1期
- 作者机构：
  
  Institute of Atomic Energy, Academia Sinica
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1979-05-09，
  
  纸质出版日期：1981-02
- 稿件说明：
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The group for nuclear reaction analysis. The measurement of phosphorus contained in the semiconductor device[J]. Nuclear Techniques, 1981,04(1):21-25,10,10.

带电粒子核反应分析组. 半导体器件中含磷量的测量[J]. 核技术, 1981, 04(1): 21-25,10,10.
The group for nuclear reaction analysis. The measurement of phosphorus contained in the semiconductor device[J]. Nuclear Techniques, 1981,04(1):21-25,10,10. DOI：

带电粒子核反应分析组. 半导体器件中含磷量的测量[J]. 核技术, 1981, 04(1): 21-25,10,10. DOI：

摘要

Abstract

本文介绍用带电粒子核反应法测量杂质层厚度和密度的方法，并用低能质子束轰击含磷硅片，通过

P（

，

)

Si共振反应产额曲线，测量了掺磷单晶硅薄层的厚度和含磷密度；同时对实验误差进行了分析。

This paper describes a method of measuring the depth and concentraction of impurity layer using nuclear reaction analysis. The phosphorus in silicon was bombarded by low energy proton beam. The depth and concentraction of phosphorus layer in monocrystalline silicon was measured by the yield curves of

P (

)

Si resonance reaction

and the errors in experiment were discussed.

关键词

Keywords

references

E. Ligeon et al ., J. Radioanal. Chem. , 16 , 537 ( 1973 ).

杨金刚等，物理学报， 23 , 52 ( 1974 ).

王革和罗兴华，原子能科学技术， 2 , 180 ( 1978 ).

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