金硅面垒半导体探测器

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金硅面垒半导体探测器

更新时间：2022-06-23

- 金硅面垒半导体探测器
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- Nuclear Techniques 1979年02卷第4期
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- 收稿日期：1979-05-28，
  
  纸质出版日期：1979-12
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金州张, 桂芬周, 文川姚, 等. 金硅面垒半导体探测器[J]. Nuclear Techniques, 1979,02(4):44-47.

金州张, 桂芬周, 文川姚, et al. 金硅面垒半导体探测器[J]. 核技术, 1979, 02(4): 44-47.
金州张, 桂芬周, 文川姚, 等. 金硅面垒半导体探测器[J]. Nuclear Techniques, 1979,02(4):44-47. DOI：

金州张, 桂芬周, 文川姚, et al. 金硅面垒半导体探测器[J]. 核技术, 1979, 02(4): 44-47. DOI：

本文介绍金硅面垒探测器的制作工艺及性能。灵敏面积直径为6mm、8mm和13mm的探测器在20℃左右对α粒子的能量分辨率 (

FWHM

) 分别为11.7keV，12.2keV (

241

Am) 和14.8keV (

244

Cm) 。

A. Coche and P. Siffert , Semiconductor Detectors , North-Holland publ., Comp. , Amsterdam , 1968 , P. 108、301 .

F. S. Fleming and J. M. Nightingale , Nucl. Instr. Methods , 127 , 221 ( 1975 ).

胡光德等，大面积硅面垒低水平α测量仪，中国科学院“核探测器与核电子学交流会”资料， 1979 年（待发表）.

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