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1.中国科学院上海原子核研究所
2.北京有色金属研究院
收稿日期:1977-12-19,
纸质出版日期:1979-06
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家鼎 章, 柏康 金, 芝芬 华, 等. 质子活化分析法测定高纯锗中痕量氧[J]. Nuclear Techniques, 1979,02(2):85-86,25.
家鼎 章, 柏康 金, 芝芬 华, et al. 质子活化分析法测定高纯锗中痕量氧[J]. 核技术, 1979, 02(2): 85-86,25.
近年来,由于对半导体材料的需要日益增长,以及制造Ge(Li)半导体探测器技术的迅猛发展,对锗材料的质量要求越来越高了。在一些研究中发现,锗中含的微量氧,对器件的性能会产生很大影响,从而提出了测定高纯锗中痕量氧(氧含量<1ppm)的要求。
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