自支衬碳薄膜的制备

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自支衬碳薄膜的制备

更新时间：2022-06-23

- 自支衬碳薄膜的制备
- 自支衬碳薄膜的制备
- Nuclear Techniques 1979年02卷第2期
- 作者机构：
  
  中国科学院高能物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1978-12-08，
  
  纸质出版日期：1979-06
- 稿件说明：
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英平张, 玉兰董, 五桂李. 自支衬碳薄膜的制备[J]. Nuclear Techniques, 1979,02(2):73-75.

英平张, 玉兰董, 五桂李. 自支衬碳薄膜的制备[J]. 核技术, 1979, 02(2): 73-75.
英平张, 玉兰董, 五桂李. 自支衬碳薄膜的制备[J]. Nuclear Techniques, 1979,02(2):73-75. DOI：

英平张, 玉兰董, 五桂李. 自支衬碳薄膜的制备[J]. 核技术, 1979, 02(2): 73-75. DOI：

碳薄膜因纯度高、导电、原子序数小和能耐受较大的粒子流轰击而有很多用途

[1]

。如低能核反应中的穿透靶底、电子显微镜的样品承托膜、串列式静电加速器中的电荷剥离器、束-箔谱学中的激发膜等都常采用碳薄膜。它的优点是可以做得很薄（几

g/cm

）而无砂眼，对粒子流透明度好；并因对粒子散射小很少影响束流特性。在作穿透靶底用时，因有较好的化学稳定性与热稳定性，可以将很多靶物质蒸发到碳膜的表面上；并由于碳棒纯度高（光谱纯），不易有污染核反应出现。

L. Yaffe , Ann. Rev. Nucl. Sci. , 12 , 153 ( 1962 ).

L. Holland , Vacuum Deposition of Thin Films , Chapman and Hall , London , 1956 .

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