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中国科学院近代物理研究所
Published:01 August 1998
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[1]刘昌龙,侯明东,程松,朱智勇,王志光,孙友梅,王引书,金运范,李长林,孟庆华.高能Ar离子辐照单晶Si引起的损伤研究[J].核技术,1998(08):449-454.
Damage Production in Silicon high energy Ar ion implantation[J]. Nuclear techniques, 1998, (8).
[1]刘昌龙,侯明东,程松,朱智勇,王志光,孙友梅,王引书,金运范,李长林,孟庆华.高能Ar离子辐照单晶Si引起的损伤研究[J].核技术,1998(08):449-454. DOI:
Damage Production in Silicon high energy Ar ion implantation[J]. Nuclear techniques, 1998, (8). DOI:
用112MeVAr离子以50K的低温辐照了<111>取向的单晶Si,后在室温下来用X射线光电子谱(XPS)、电子顺磁共振(EPR)和红外光吸收(IR)技术对样品进行了分析。XPS分析结果表明。表面处Si以单元素和SiO2两种形式共存,辐照对这两种形式Si的2p轨道电子的结合能影响较小,EPR测量结果显示,Si中的损伤产生明显地依赖于辐照剂量,当剂量为1.0x1014—1.8x1014cm-2时。可以观测到了中性四空位(Si-P3心)、孤立的非晶区域等缺陷;随辐照剂量增加,孤立的非晶区域转变为连续的非晶层,非晶共振线表现为对称的洛仑兹型线。其g因子约为2.0058。IR在辐照的Si中揭示了双空位的形成,双空位主要分布在电子能损起主导作用的辐照区域,其浓度随辐照剂量的增加而增加,并在高剂量时趋向饱和。最后定性地讨论了结果。
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