氚在材料中的浓度、深度分布及其在材料中的扩散行为，是从事核聚变研究者最为关心的问题之一。氚（钛）靶是14MeV中子发生器的主要部件，精确地分析氚在靶中的行为，可以为合理地设计氚靶的厚度提供依据，并使靶的寿命和密封的中子发生器的寿命得以延长。因此，研究一些可行的方法来分析氚在基质材料中的行为有着应用的价值

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。用离子背散射方法确定一种离子注入到另外一种核素中的深度分布是很有前途的技术，但是对确定轻核素注入到重核素中的分布是困难的。质子背散射法虽能克服上述弱点，但却只有在基质材料足够薄时才能得到较高的灵敏度，才能把质子从注入的离子上的散射与从基质材料上的散射分开。为了能以较高的灵敏度分析较厚的氚靶，并获得完整的氚在基质材料中深度分布的信息，作为尝试，我们采用了快中子飞行时间方法。