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1.复旦大学
2.同济大学
Published:1985-11
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[J]. Nuclear techniques, 1985, 08(8): 38-39.
DOI:
[J]. Nuclear techniques, 1985, 08(8): 38-39. DOI:
在80~300K的温区范围内测试了掺铬、掺碲的砷化镓单晶及中子辐照后高阻P型直拉硅及区熔硅的正电子湮没寿命谱。谱仪的
FWHM
为350ps,每个数据点的积分计数约10
6
。实验结果如图1所示。
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