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1.武汉大学
2.冶金部有色金属研究总院
Published:1985-11
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[J]. Nuclear techniques, 1985, 08(8): 37-38.
DOI:
[J]. Nuclear techniques, 1985, 08(8): 37-38. DOI:
对于无位错Si单晶中的第三类自无序缺陷,究竟是空位型还是间隙型,已争论许多年。尚未得到统一的结论。这是因为对空位的直接观测,目前尚有困难。由于正电子湮没谱(PAS)对空位型缺陷具有选择的灵敏性,有可能为解决这一问题提供新的实验依据。
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