晶体中空位型缺陷提供了一个正电子捕获势阱，我们以铝为钊，计算和讨论了几种不同形式的二维柱对称势阱对基态正电子的局域、湮没及其与缺陷宽度的依赖特性，得到的结论是：1）对取值有界的缺陷势阱，随缺陷宽度变化总存在使得正电子波函数局域在缺陷中心最强的尺寸

R

l

；2）正电子湮没寿命随缺陷宽度变化的曲线在大于

R

l

以后才开始明显出现饱和效应；3）中空类型缺陷当其宽度大于一定尺寸

R

s

以后出现表面效应，

R

s

远大于

R

l

；4）存在着下列不等式：

R

s

晶界

＜

R

s

空心柱孔

＜

R

s

空心球洞

。