在Thomas-Fermi近似的非均匀电子气理论和凝胶模型的意义下，计算和讨论了铝中刃位错深捕获模型和浅捕获模型的正电子束缚能，结果表明：与Hautojärvi实验结果符合的位错模型是深捕获模型，Hautojärvi给出的

E

b

估计值太小，但我们发现，在保持与实验寿命值和角关联曲线符合的前提下，可以降低先前空心柱孔模型和线性膨胀模型给出的

E

b

，我们得到

E

b

≈1.6eV（不引入核心电子的影响）或

E

b

≈2.3eV （引入核心电子湮没的影响）；

Peierls-

Nabarro位错点阵模型是一个浅捕获模型，它给出正电子湮没寿命值仅为183ps，但

E

b

=1.1eV

表明尽管浅位错（因而可以认为是纯位错）离子密度不太低，引起的湮没效应比较弱，但它对正电子的捕获倒可能是强的，甚至可以与空位相比。我们看到，湮没效应的强弱与捕获效应的强弱并不总是一一对应的，它们之间具有相对的独立性，前者反映了正电子在实空间的局域，后者则反映了正电子在能态空间的状态。之所以在位错的计算中体现了二者意义上的差异，我们认为主要是由于位错在空间上的延展性决定的。