本工作采用反应堆中子活化分析与化学腐蚀剥层相结合的方法，进行本征吸除硅片对重金属杂质吸除能力的研究。

用高温热处理法，将一定量的金引入本征吸除硅片内，制成引入金的测试样片。将样片置于反应堆内辐照，使杂质金活化。辐照通量为：2.6×10

13

n/cm

2

•s，辐照60小时，冷却3天。活化后的样片，用特制的聚四氟乙烯模具掩模，进行化学剥层处理，单次剥层厚度为10µm或20µm，剥层误差小于3%。蚀刻液用SCORPIO-3000多道分析器作

198

Au的

γ

－谱分析。按相对法算出吸除硅片中不同深度的金的浓度，绘出金在吸除硅片内的剖面分布曲线和吸除效率曲线。结果表明本征吸除硅片对金杂质有相当强的吸除能力。在吸杂区金的浓度明显高于表层（清洁区），其分布特征与体内微缺陷的分布是一致的。微缺陷密度高的地方金的浓度也高。反映出吸杂区对重金属杂质的吸除能力。与1981年日本Kishino等人用铜作为人为引入杂质对本征吸除能力研究的结果一致。