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中国科学院近代物理研究所
Published:1983-08
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[J]. Nuclear techniques, 1983, 06(4): 22.
DOI:
[J]. Nuclear techniques, 1983, 06(4): 22. DOI:
我们使用了真空蒸发和电沉积二种方法制备成Sn同位素无衬底靶,靶膜的厚度范围自250µg/cm
2
至2 mg/cm
。
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