为解决在强源且源强大幅度变化情况下NaI（Tl）闪烁谱仪的能谱漂移和脉冲堆积问题以及一般使用条件下由光电倍增管分压电阻温度效应、高压和电子学系统引起的能谱漂移问题，我们采用GaAsP半导体发光二极管作标准脉冲光源，加上T型滤波器和快甄别器等建立了一个稳谱和抗堆积系统（见图1）。光电倍增管阳极收集电阻为50

Ω

，输出电流型脉冲，装在快放大器输入部分的T型滤波器可使脉冲变窄为0.3µs，减少了脉冲堆积，再用快甄别器排除能谱中大量低能本底，以减少主放大器和脉冲分析器承受的计数率。主放大器的分辨时间则可大些。发光二极管以蓝光、绿光为好，我们使用的GaAsP发桔黄光，波长6000Å左右，工作电流~10mA。发光二极管安置在光电倍增管管面边缘，对准光阴极焊接点。驱动脉冲宽度0.3µs，调节驱动电路使能谱中的光峰位置远离

γ

能谱以免干扰。取发光二极管驱动频率为200C/s，计数率仪的积分时间常数预先调好，使100C/s的计数率相应于输出电平0V，计数率仪装有中心指零电压表，输出电平随计数率的变化见图2。稳谱选择开关在接地一边时稳谱系统不起作用，谱仪仍正常工作。如需“稳谱”可调节单道甄别阈寻找光峰位置，计数率仪指零时立即将稳谱选择开关打向“稳谱”一边。