金硅面垒半导体探测器Si（Au）及漂移型半导体探测器Si（Li）用于测量电子谱已有十几年的历史。F. M. Bernthal等

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曾利用半导体谱仪成功地测量了短寿命核素

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Ta的83个跃迁的电子谱，近年来，采用半导体探测器与一个小型磁谱仪相结合，同时实行能量和动量的选择，成功地实现了在束内转换系数的测量，这是目前在束能谱确定核态特性的重要方法之一。与Si（Li）相比，Si（Au）面垒探测器用于电子谱的测量有很多优点，它制备时间短、比较便宜、较易制薄窗、不易受辐射损伤，可在室温下保存。它的主要缺点是：需要高纯Si材料才能获得较大的灵敏厚度。面垒型探测器直至七十年代中期才获得1.9~3.5keV的能量分辨率（

207

Bi 1063

K

线）

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。我们为了进行短寿命核素及在束电子谱的测量，制作了下述一台液氮致冷N型Si面垒型半导体电子谱仪。