阳极氧化生成的Al

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是一种重要的非晶电解质材料，而非晶电解质材料是有待进一步开发和研究的新材料。另外，Al

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薄膜可以用来作为半导体材料定域掺杂的掩膜，因此，准确的测定Al

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薄膜的厚度和注入离子在Al

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中的射程及射程分布，以选择合适的离子注入条件，在半导体器件的生产中是很重要的。