半导体硅是发展电子工业的重要材料，其中含有几十ppb的硼、碳、氮杂质，对硅电子元件的电性能就有不良的影响。本工作利用我所1.2米回旋加速器产生的氘子，同时测定硅中痕量的硼、碳、氮。核反应为

10

B（

d

，

n

）

11

C、

11

B（

d

，2

n

）

11

C、

12

C（

d

n

）

13

N和

14

N（

d

，

n

）

15

O，产生

11

C、

13

N、

15

O三个核素，半衰期分别为20.3　分钟、9.96分钟和2.03分钟。选用7MeV能量的氘作轰击粒子，在此能量下，干扰反应

16

O（

d

，

t

）

15

O、

16

O（

d

，

αn

）

13

N和

16

O（

d

，

dn

）

15

O被抑制。另外，

14

N（

d

，

αn

）

11

C和

14

N（

d

，

t

）

13

N在此能量下截面很小，可不必考虑其干扰。