中子活化分析法测定注入Si中的As剂量和浓度分布

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更新时间：2022-08-16

将一组不同注入能量（80keV~180keV）和剂量（10

~10

atom/cm

）的As P型硅样品与相应的标准送入原子能所反应堆中，在相同条件下照射10小时，中子通量为10

n/cm

• s。照射后的样品冷却2~3天后用Ge（Li）γ谱仪分别测出样品和标准的活性，经衰变时间和硅片面积修正后，用相对比较法可得到一组硅片中含As的剂量值，典型结果列于表中，测量误差小于10%。此结果与用背散射法所测As剂量结果在误差范围内完全一致。

R. B. Fair and Joseph C. C. Tsai , J. Electrochem ., 123 , 4 , 583 （ 1976 ）.

M. Y. Tsai et al ., J. Appl. Phys ., 51 , 6 , 3230 （ 1980 ）.

Katsuhiro Tsukamoto et al ., Japanese J. Appl. Phys ., 19 , 1 , 87 （ 1980 ）.

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