早在1951年，Lack-Horowitz就提出核反应可作为半导体材料硅的一种掺杂方法。六十年代初期，Tanenbaum等人进行了实验，指出中子嬗变掺杂（简称NTD）可以得到电阻率均匀的N型硅。然而，由于当时硅材料本身纯度较低，以及一些实验条件的限制，此法未引起人们的注意。直到1973年，才受到重视，并迅速发展，广泛地应用在高阻断电压的可控硅和整流器、辐射探测器、大规模集成电路和硅靶摄像管等元器件的制备中。与常规的掺杂方法比较，中子嬗变掺杂的特点是掺杂十分均匀、准确，无论在宏观上或微观上都没有大的掺杂起伏。特别适宜制作管芯面积大的分立器作和集成电路。