质子活化分析法测定高纯锗中痕量氧

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质子活化分析法测定高纯锗中痕量氧

更新时间：2022-06-23

- 质子活化分析法测定高纯锗中痕量氧
- 核技术 Vol. 02, Issue 2, (1979)
- 作者机构：
  
  1.中国科学院上海原子核研究所
  2.北京有色金属研究院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC：
- Received：19 December 1977，
  
  Published：1979-06
- 稿件说明：
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家鼎章, 柏康金, 芝芬华, et al. 质子活化分析法测定高纯锗中痕量氧[J]. 核技术, 1979, 02(2): 85-86,25.
DOI：

家鼎章, 柏康金, 芝芬华, et al. 质子活化分析法测定高纯锗中痕量氧[J]. 核技术, 1979, 02(2): 85-86,25. DOI：

近年来，由于对半导体材料的需要日益增长，以及制造Ge（Li）半导体探测器技术的迅猛发展，对锗材料的质量要求越来越高了。在一些研究中发现，锗中含的微量氧，对器件的性能会产生很大影响，从而提出了测定高纯锗中痕量氧（氧含量<1ppm）的要求。

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